上海中芯国际电子有限公司辉煌二十年发展历程
来源:与非网 发布时间:2020-06-19 14:20:44

2020 年 4 月 3 日是中芯国际成立 20 周年的日子。

Let's start our new "chip era" in 2020!

二十年是中芯国际发展史上的一个重要里程碑,也是厚积薄发、锐意进取的助推器。

中芯国际从 250 纳米起步,到今天 14 纳米 FinFET量产,第二代 FinFET 工艺已经进入客户导入阶段。

芯思想研究院为您特别梳理了中芯国际 20 年的辉煌发展历程。

20 周年 2000 年

2000 年 4 月 3 日,中芯国际集成电路制造有限公司(SMIC)在开曼设立。

2000 年 6 月 24 日,《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》发布。

2000 年 8 月 1 日,中芯国际在上海浦东新区张江高科技园区打下第一根桩。

2000 年 8 月 24 日,中芯国际在上海浦东新区张江高科技园区开始正式开工建设。

2000 年 12 月 21 日,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司正式成立。

20 周年 2001 年

2001 年 7 月 23 日,中芯国际光罩厂设备顺利搬入。

2001 年 8 月 15 日,中芯国际 FAB 1 开始设备搬入。

2001 年 9 月 25 日,中芯国际上海 FAB 1 举行了投产庆典,第一片 0.25 微米产品上线生产,计划 2002 年第 1 季度量产。

2001 年 9 月 25 日,中芯国际宣布通过发行优先股(Series A Preferred Shares)的方式进行增资扩股,上海实业(集团)有限公司出资 1.84 亿美元,占股 17%,成为第一大股东,高盛(Goldman Sachs)、汉鼎亚太(H&Q Asia Pacific)、华登国际(Walden)和淡马锡(Temasek)旗下祥峰投资管理集团(Vertex Management)各出资 1 亿美元,分别占股 10%,其余 11 名股东持股 1%-10%不等。

2002 年 11 月 22 日,中芯国际举行开业典礼,正式进入营运阶段。

2001 年 12 月 20 日,中芯国际与东芝(Toshiba)共同宣布技术授权和代工协定,中芯国际获得东芝低功率静态存组器(Low Power SRAM)0.21 微米制程技术。

2001 年 12 月 21 日,中芯国际和特许半导体(Chartered)共同宣布缔结联盟,中芯国际获得线宽 0.18 微米标准逻辑制程技术以及特许半导体所赋予的专利使用权。

20 周年 2002 年

2002 年 2 月 1 日,中芯国际与富士通(Fujitsu)宣布代工协定,中芯国际于上海工厂为富士通代工制造 0.22 微米和 0.18 微米 FCRAM(Fast Cycle RAM)。

2002 年 4 月 22 日,中芯国际宣布与比利时微电子研究中心(imec)已经签署合作意向书,并在半导体工艺先进制程研发领域建立长期合作伙伴关系。双方将在先进的半导体工艺技术方面进行信息交流,中芯国际将参与比利时微电子研究中心大部分有关硅加工工艺技术的工业合作项目(imec industrial affiliation programs,IIAPs)。

2002 年 7 月 25 日,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司正式成立。

2002 年 8 月 16 日,中芯国际宣布 0.18 微米 CMOS 逻辑制程通过全面技术认证并实现量产。

2002 年 8 月,中芯国际上海 FAB2 开始设备搬入。

2002 年 9 月 25 日,中芯国际上海 0.18 微米工艺正式投产。

2002 年 9 月 29 日,中芯国际(原中芯环球)北京基地 12 英寸厂房举行奠基仪式。

2002 年 12 月 9 日,中芯国际和英飞凌(Infineon)宣布签订生产 DRAM 的合作协议,英飞凌将其 0.14 微米的 DRAM 沟槽(Trench)技术转移给中芯国际,并在今后考虑转移 0.11 微米技术。中芯国际上海 8 英寸厂房装配有 0.14 微米生产技术的设备,预计产品将于 2003 年年中通过技术认证。随着中芯国际厂房设备的进展,预计该项合作将使英飞凌 2005 年的月投片提高 20000 片。

2002 年 12 月 27 日,中芯国际和尔必达公司(Elpida)签署一份为期五年的芯片代工协议,根据协议,在初期合作计划中,尔必达将把该公司的 0.13 微米的堆叠(Stacked)DRAM 交给中芯国际位于上海的 8 英寸厂房生产,而中芯国际将自 2003 年内起,为尔必达代工生产。

2002 年 12 月,中芯国际的 8 英寸月产能达到 30000 片。

20 周年 2003 年

2003 年 1 月 9 日,中芯国际和东芝共同宣布技术授权和代工协议,东芝将 0.15 微米低功率静态存储器制程技术转让给中国上海的中芯国际,加强了双方的策略联盟关系。

2003 年 5 月 1 日,中芯国际上海 FAB1 和英特尔 FAB11X 被《半导体国际》(Semiconductor International)杂志评为“2003 年度最佳半导体厂”。

2003 年 9 月 15 日,中芯国际发表声明,称其已向原有股东和新投资人私募成功,获 6.3 亿美元。新一轮投资者包括上海实业、汉鼎亚太、华登国际、祥峰投资管理集团,还包括新的投资者 New Enterprise Associates(NEA)、Oak Investment Partners、北大微电子(香港)和其他策略投资人等。

2003 年 10 月 24 日,中芯国际和摩托罗拉(Motorola)宣布签署长期策略合作协议。摩托罗拉将位于天津的 MOS17 转移给中芯国际,换取其股份;双方还将在专利和先进 CMOS 制程技术授权领域展开合作。

2003 年 11 月 3 日,中芯国际集成电路制造(天津)有限公司正式成立。

20 周年 2004 年

2004 年 1 月 16 日,中芯国际与摩托罗拉完成转移位于天津的 MOS17 于的全部事宜。与此同时,双方建立策略代工伙伴关系。中芯国际将作为摩托罗拉的策略代工伙伴,为摩托罗拉提供从 MOS17 到其他芯片厂的全面技术支持。此外,双方在专利和先进 CMOS 制程技术授权领域也展开合作。摩托罗拉获 11.4%的股份。随后中芯国际投资 7.1 亿美元在行扩产,建设满足 0.13 微米的生产线。

2004 年 3 月 17 日,中芯国际在美国纳斯达克发行预托证券(ADR),成为首家在美国纳斯达克挂牌上市的中国晶圆制造公司。

2004 年 3 月 18 日,中芯国际集成电路制造有限公司在香港主板上市,发行股票 25757.6 万股,每股发行价 2.69 港元,共募集资金 692879440 港元。上海实业持股摊薄至 13.6%,为第一大股东。

2004 年 6 月 2 日,中芯国际位于北京的 12 英寸生产线(FAB4)开始设备进厂。

2004 年 6 月,中芯国际的凸块生产线开始安装设备。

2004 年 7 月 23 日,中芯国际第一条 12 英寸生产线(FAB4)在北京试投产。

2004 年 9 月 25 日,中国第一条 12 英寸晶圆生产线中芯国际 FAB4 在北京正式投产,开始为英飞凌 110 纳米、尔必达 100 纳米产品代工 512Mb DDR2 SDRAM。

2004 年 9 月 28 日,采用中芯国际 0.18 微米工艺成功的 64 位微处理器龙芯 2C 芯片 DXP100 流片成功。

2004 年 10 月,中芯国际的凸块生产线第一批产品成功地通过了可靠性验证,良率在 98%以上。为了提供全方位的 CMOS 成像传感晶圆代工服务,中芯国际和日本凸版印刷株式会社于 2004 年合资成立了凸版中芯彩晶电子(上海)有限公司,在中芯国际上海厂区专业生产 CMOS 成像传感器芯片专用的芯载彩色滤光镜和微镜头。

2004 年中芯国际实现首个年度盈利。

20 周年 2005 年

2005 年 1 月 30 日,中芯国际和台积电的专利及商业机密诉讼案达成和解。和解协议中规定,中芯国际将在六年内以分期方式支付台积电 17500 万美元;台积电也将撤销在美国联邦法院、美国加州地方法院、美国国际贸易委员会、以及新竹地方法院所有正在进行中的诉讼案件;然而,台积电仍保留再提告诉的权利。此项协议中同时载明,到 2010 年 12 月底止,双方就相关专利进行交互授权。在此项协议当中,台积电不允许中芯国际使用台积电的商业机密,但同意针对某些特定台积电的商业机密不对中芯国际提出告诉。

2005 年 3 月,中芯国际北京 FAB4 正式量产,使用 0.11 微米及 0.10 微米生产工艺为英飞凌、尔必达制造 512Mb DDR2 SDRAM,首季 12 英寸晶片的产能约为 4550 片。

2005 年 7 月 28 日,中芯国际宣布王阳元院士接替张汝京博士担任董事长。

2005 年 10 月,中芯国际上海 12 英寸(FAB8)开工建设。

2005 年,中芯国际营收首次超过 10 亿美元。

20 周年 2006 年

2006 年 1 月 6 日,中芯国际和英飞凌共同宣布,双方已经签署合作协定,进一步扩展在 DRAM 产品生产领域中的现有合作,开始 90 纳米工艺产品合作生产。根据协议,英飞凌将 90 纳米 DRAM 沟槽技术和 12 英寸产品生产技术转让于中芯国际北京,并可以在未来期间灵活进行其 70 纳米技术的进一步转让。预计在 2006 年中期完成产品的最终验证后,中芯国际将开始将其目前用于英飞凌 110 纳米 DRAM 产品的 12 英寸生产线转移至 90 纳米产品上。

2006 年 12 月,天津厂月产能达到 18000 片。

20 周年 2007 年

2007 年 5 月,中芯国际上海 12 英寸(FAB8)设备开始搬入。

2007 年 7 月,中芯国际上海 12 英寸(FAB8)开始试投产。

2007 年 8 月 21 日,中芯国际和奇梦达(Qimonda)共同宣布,双方已经签署合作协定,进一步扩展在 DRAM 产品生产领域中的现有合作,开始 80 纳米工艺产品合作生产。根据协议,奇梦达将 80 纳米 DRAM 沟槽技术和 12 英寸产品生产技术转让于中芯国际北京,并可以在未来期间灵活进行 75 纳米技术的进一步转让。

2007 年 10 月 24 日,中芯国际和飞索(Spansion)宣布展开合作,飞索将向中芯国际转让 65 纳米 MirrorBit 技术,从而使中芯国际进入特定的快闪存储器细分市场。

2007 年 12 月 10 日,中芯国际上海 12 英寸(FAB8)成功投产进入正式运营阶段。FAB8 于 2005 年 10 月开工建设,2007 年 5 月设备迁入,7 月开始试生产 90 纳米及以下逻辑芯片。

2007 年 12 月 24 日,中芯国际和 IBM 联合宣布,双方已签订 45 纳米 bulk CMOS 技术许可协定。根据协定,IBM 将会把 45 纳米 bulk CMOS 技术转移给中芯国际,此技术可用于移动通讯产品的应用,例如整合了 3G、多媒体、图像处理以及芯片组功能的高端手机。

20 周年 2008 年

2008 年 3 月 20 日,中芯国际集成电路制造(深圳)有限公司正式成立。

2008 年 09 月 10 日,S2/FAB 8 以“零缺陷”的优异成绩通过了 BSI ISO27001:2005 信息安全体系的扩大认证审核,成为中芯国际第一个通过 ISO 27001 信息安全认证的芯片制造生产线。信息安全是取得客户信赖的基础,也是公司拓展业务的一个重要的通行证。中芯国际非常注重保护客户的 IP,不仅严格控制生产中 IP 的使用以确保客户的利益,而且建有安全的独立数据存储和网络环境。通过 ISO 27001 认证,将促使我们更加精益求精,进一步加大保护客户信息安全的力度,强化自身优势,成为广大客户的最佳合作伙伴。

2008 年 9 月 22 日,中芯国际和飞索宣布扩大合作,飞索将向中芯国际转让 43 纳米 MirrorBit 技术。

2008 年 10 月 23 日,中芯国际宣布成功开发 0.11 微米 CMOS 图像传感器(CIS)工艺技术,同时适用于铝和铜后端金属化工艺,可广泛应用于摄像手机、个人计算机、工业和安全市场等领域。

2008 年 11 月 10 日,中芯国际宣布和大唐电信科技产业控股有限公司达成股权购买协议,大唐控股以 1.718 亿美元获得了中芯国际 16.6%股份,成为最大股东。

2008 年 12 月 8 日,中芯国际宣布,第一批 45 纳米产品成功通过良率测试,标志着 45 纳米工艺进入一个新的里程。

20 周年 2009 年

2009 年 1 月 21 日,中芯国际宣布发布三套自主设计的 65 纳米标准单元库的初始版本。该单元库包括一套高性能的超高速(VHS)单元库、一套密度和速度优化的高速(HS)单元库、以及高速单元库的功耗管理工具包(PMK)。

2009 年 5 月 15 日,中芯国际宣布为自主开发的 65 纳米低漏电工艺提供一整套 IP 产品给客户,其中包括一组六款的存储器编译器的初始版本,广泛应用在消费性电子应用的设计方面,例如手机、移动多媒体播放器、全球定位系统、数位电视、机顶盒和移动存储设备等。

2009 年 6 月 23 日,中芯国际宣布,江上舟接替王阳元担任董事长。

2009 年 6 月 30 日,中芯国际宣布 45 纳米高性能工艺在首批完整流程芯片上获得良率验证,适用于更多应用,包括系统级芯片,图形和网络处理器,电信和无线消费电子产品,并作为技术平台,应用于快速成长的中国市场。中芯国际与 IBM 于 2007 年 12 月签订了 45 纳米 bulk CMOS 技术许可协议,该技术转移已于 2009 年 3 月成功完成。

2009 年 11 月 10 日,中芯国际宣布王宁国(David N.K. Wang)博士接替张汝京担任总裁兼首席执行官。

2009 年 11 月,中芯国际和台积电达成和解,台积电获得 17.89 亿新股,约占 8%股权,成为第三大股东。

2009 年 11 月 18 日,中芯国际深圳 12 英寸厂房封顶,建成后将引进 IBM 先进的 45 纳米工艺技术。

20 周年 2010 年

2010 年 7 月,中芯国际第一次新股配售,总额 15 亿股,筹资 1 亿美元,配售后股权变为:大唐控股 14.35%、上海实业 8.7%、台积电 6.94%、北大微电子 2.58%。

2010 年 8 月 3 日,中芯国际宣布,北京基地 12 英寸 65 纳米工艺成功进入量产,自 2009 年第三季开始出货累计已超过 10000 片。

2010 年 11 月,大唐 1.02 亿美元参与增发,股权升到 19.06%。

2010 年,中芯国际实现年度盈利,终结连续 5 年亏损的局面。

20 周年 2011 年

2011 年 2 月 9 日,《进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》发布。

2011 年 3 月 15 日,中芯国际宣布,正式启用“蓝橙组合、代表高科技与活力”的企业新形象标识。新形象标识中,科技蓝代表着高科技企业,沉稳、创新和高效;橙色和金黄渐变色,代表着中芯国际更富有激情和活力,也象征着不断收获的喜悦。

2011 年 4 月 19 日,中芯国际宣布与中投公司达成投资协议。根据协定条款,中投公司将投资中芯国际 2.5 亿美元,以每可转换优先股 5.39 港元获得 360589053 股的可转换优先股。新股发行及转换后,中投公司拥有中芯国际已发行约 11.6%的股权,成为第二大股东。6 月完成。

2011 年 6 月 27 日,中芯国际董事长江上舟因病去世。

2011 年 7 月 18 日,中芯国际集宣布,张文义先生获委任为中芯国际董事长、执行董事及代理首席执行官,未来将继续物色适当的人选填补首席执行官的职务。

2011 年 8 月 5 日,中芯国际宣布,邱慈云(Chiu Tzu-Yin)博士获委任首席执行官兼执行董事。

2011 年 9 月,大唐 0.59 亿美元认购 0.85 亿股可转换优先股,交易后持股达 19.3%。

20 周年 2012 年

2012 年 5 月 15 日,中芯国际与北京市经济和信息化委员会、北京经济技术开发区管理委员会共同签署合作框架文件,以合资的方式建设中芯北京二期项目(中芯北方)。中芯北京于 2006 年实现 90 纳米技术产品量产,2009 年实现 65 纳米技术产品量产,2011 年实现 55 纳米技术产品量产。中芯北京二期项目将在北京市政府的支持下在现有的厂区内建设新厂房,并引入 45/40 纳米以及 32/28 纳米的生产设备,实现先进技术节点产品的量产。

2012 年 9 月 25 日,中芯国际(北京)二期项目奠基。

2012 年 12 月 20 日,中芯国际宣布在背照式 CMOS 成像传感技术研发领域取得突破性进展,首款背照式 CMOS 成像传感测试芯片一次流片即获得成功,在低照度下同样获得高质量的清晰图像,将于 2013 年与客户伙伴进行试产。2005 年中芯国际提供前照式 CMOS 影像传感工艺以来,中芯国际即成为 CMOS 成像传感芯片的主要晶圆代工厂商,主要应用于手机及消费电子。

20 周年 2013 年

2013 年第 1 季度,单季营收首度超过 5 亿美元。

2013 年 4 月 25 日,原北区运营资深副总裁赵海军博士获任中芯国际首席运营官。赵海军博士于 2010 年加入中芯国际,2011 年 9 月担任北区运营中心副总裁,2012 年 6 月升任为资深副总裁。

2013 年 6 月 3 日,中芯国际及子公司中芯国际集成电路制造(北京)有限公司与北京工业发展投资管理有限公司、中关村发展集团共同签署合同,成立合资公司 -- 中芯北方集成电路制造(北京)有限公司,建设中芯北京二期项目。预计投资总额为 35.9 亿美元,专注于 45 纳米及更精细集成电路的量产,预期目标产能达到每月 35000 片晶圆。

2013 年 7 月 12 日,中芯北方集成电路制造(北京)有限公司注册成立。

2013 年 8 月 30 日,中芯北方 12 英寸厂(B2A)上梁。

2013 年 10 月,发行每股 20 万美元可换股债券,总值 2 亿美元,大唐和中投行使优先认购权,分别认购 5460 万美元、3220 亿美元,股权变为 19.05%、11.23%。

2013 年 11 月 30 日,中芯北方 12 英寸厂(B2A)封顶。B2A 厂宽 133 米,长 201 米,单层 28000 平方米,整体建筑面积达 91000 平方米,工厂建成后将引入 45/40 纳米以及 32/28 纳米 2 条产能各为 3.5 万片的生产线,实现技术水平为 32-28 纳米的芯片在国内量产“零”的突破,进一步减弱国内高技术芯片对进口的依赖。

2013 年,中芯国际年度营收超过 20 亿美元。

20 周年 2014 年

2014 年 1 月 26 日,中芯国际宣布正式进入 28 纳米工艺时代。28 纳米工艺拥有来自中芯国际设计服务团队以及多家第三方 IP 合作伙伴的 100 多项 IP,可为全球集成电路(IC)设计商提供包含 28 纳米多晶硅(PolySiON)和 28 纳米高介电常数金属闸极(HKMG)在内的多项目晶圆(MPW)服务。这是中芯国际发展历程中的重要里程碑,标志着中芯国际生产及研发能力的极大提升。进入 28 纳米工艺时代,夯实了公司在移动计算相关 IC 制造领域中的有利地位。中芯国际首个包含 28PolySiON 和 28HKMG 的多项目晶圆流片服务已于 2013 年年底推出,供客户进行产品级芯片验证。

2014 年 6 月 5 日,中芯国际发行本金额 9500 万美元 2018 年到期零息可换股债券,大唐和 Country Hill 潜在行使优先认购权。

2014 年 6 月 24 日,《国家集成电路产业发展推进纲要》正式发布,成为我国集成电路产业发展重要战略机遇期和攻坚期的重要指导纲要,掀开了中国集成电路发展新的里程碑。

2014 年 6 月 24 日,中芯国际宣布,与日本凸版印刷(Toppan)的合资公司凸版中芯彩晶电子(上海)有限公司(TSES)合作的国内首条 12 英寸芯载彩色滤光片和微镜生产线已建成投产,结合中芯国际 12 英寸 CMOS 图像传感器(CIS)晶圆生产线,将形成一条完整的 12 英寸 CIS 产业链。原原创创原创原创原创原创原创原创原创原创原创原创原创原创

2014 年 9 月 26 日,国家集成电路产业投资基金股份有限公司(大基金)正式成立,募集资金 1387.2 亿元。

2014 年 7 月 3 日,中芯国际和高通(Qualcomm)扩大了在 28 纳米工艺节点上的合作,高通宣布将旗下的部分 28 纳米芯片交给中芯国际代工制造。

2014 年 12 月 17 日,中芯国际宣布位于深圳的 8 英寸晶圆厂正式投产,这是中国华南地区第一条 8 英寸生产线投入使用。同时这也是今年《国家集成电路产业发展推进纲要》出台后,国内第一条投产的集成电路生产线。

2014 年 12 月 18 日,中芯国际和高通共同宣布,双方合作的 28 纳米骁龙™410 处理器成功制造,这是双方在先进工艺制程和晶圆制造合作上的重要里程碑。之前在 7 月,双方宣布了在 28 纳米晶圆制造方面达成合作的初步计划。

20 周年 2015 年

2015 年 2 月 13 日,中芯国际与大基金达成一项投资协议。根据协议规定,大基金将以每股 0.6593 港元的认购价认购 47 亿股新股份。这笔投资将会用作中芯国际的资本支出、债务偿还以及整体运营支出,约占发行后新股本的 11.58%。

2015 年 3 月 6 日,中芯国际宣布,周子学博士获委任为中芯国际董事长、执行董事,于当日生效。

2015 年 5 月 15 日,中芯北方 12 英寸厂(B2A)洁净室交付使用。

2015 年 6 月 23 日,中芯国际、华为、比利时微电子研究中心、高通举行签约仪式,宣布共同投资中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司,开发下一代 CMOS 逻辑工艺,打造中国最先进的集成电路研发平台。

2015 年 8 月 10 日,中芯国际宣布采用其 28 纳米工艺制程的高通骁龙™410 处理器已成功应用于主流智能手机,这是 28 纳米核心芯片实现商业化应用的重要一步,开启了先进手机芯片制造落地中国的新纪元。

2015 年 10 月 29 日,中芯北方 12 英寸厂(B2B)奠基。

20 周年 2016 年

2016 年 2 月 16 日,中芯国际和联芯科技(Leadcore)共同宣布,中芯国际 28 纳米高介电常数金属闸极(HKMG)制程已成功流片,基于此平台,联芯科技推出适用于智能手机等领域的 28 纳米 SoC 芯片,包括高性能应用处理器和移动基带功能,目前已通过验证,准备进入量产阶段。

2016 年 5 月 18 日,中芯北方 12 英寸厂(B2B)上梁。

2016 年 6 月 22 日,中芯国际宣布北京厂成功量产高通骁龙 28 纳米系列产品,这是继高通骁龙 410 处理器在中芯国际上海厂成功量产后,中芯国际再次取得重大进展。中芯国际成功完成由上海母厂至北京厂的技术转移,并相继通过骁龙 425 和 MDM9x07 两颗新产品的客户验证,在北京厂进入批量生产。骁龙 425 在北京厂的成功量产,标志着中芯国际在 28 纳米技术节点又向前跨出了重要的一步。28 纳米在北京工厂的成功量产,使得中芯国际 28 纳米迈上了一个新的台阶,进一步巩固了中芯国际作为中国内地晶圆代工龙头企业的地位,提高了中芯国际在全球先进工艺晶圆代工领域的竞争力。

2016 年 6 月 24 日,中芯国际宣布出资 4900 万欧元,收购由 LFoundry Europe GmbHLFE 以及 Marsica Innovation S.p.A. 控股的意大利 LFoundry 的 70%股份。这也是中国内地集成电路晶圆代工业首次成功布局跨国生产基地,标志着中芯国际在国际化的道路上迈进了一大步,中芯国际也将凭借此项收购正式进驻全球汽车电子市场。

2016 年 7 月 6 日,中芯国际和深圳出入境检验检疫局签订《进口成套设备检验合作备忘录》,这意味着坪山新区投建的华南地区首条 12 英寸集成电路生产线进入建设阶段。根据备忘录,深圳检验检疫局将为该公司即将进口的 2.18 亿美元成套设备提供全方位的监管服务。

2016 年 7 月 9 日,中芯北方 12 英寸厂(B2A)月产达一万片。

2016 年 7 月,中芯国际发行 4.5 亿美元 2020 年到期的零息可转换债券。

2016 年 9 月 2 日,中芯北方 12 英寸厂(B2B)封顶。

2016 年 10 月 13 日,中芯国际在上海厂区举行新的 12 英寸集成电路生产线厂房奠基仪式,该 12 英寸集成电路生产线项目包含 2 条生产线,覆盖 14 纳米至 10/7 纳米工艺节点,投资百亿美元(675 亿元),满产后规模可达每月 7 万片,产品主要面向新一代移动通讯和智能终端领域。

2016 年 10 月 18 日,中芯国际宣布正式启动中芯天津产能扩充项目,新增投资 15 亿美元,该项目建成达产后有望成为世界上单体规模最大的 8 英寸集成电路生产线。中芯国际天津公司位于天津西青经济技术开发区,目前拥有一条成熟工艺的 8 英寸集成电路生产线,已实现 4.5 万片月产能。该扩建项目全部达产后中芯天津月产能将达 15 万片 8 英寸晶圆。厂房进度和产能安排将按客户市场需求而定。主要产品应用方向包括物联网相关、指纹识别、电源管理、数模信号处理、汽车电子等。

2016 年 11 月 3 日,中芯国际宣布,配合物联网时代对于集成电路芯片大规模的需求,将在深圳现有厂区已建好的厂房内,启动建设一条 12 英寸集成电路生产线项目,产品方向定位于主流成熟技术。这是华南地区第一条 12 英寸集成电路生产线,该项目计划 2016 年底开工,预计 2017 年底投产,届时将根据客户需求扩充产能,预期目标产能将达每月 4 万片晶圆。

2016 年 12 月 1 日,中芯南方集成电路制造有限公司正式成立。

2016 年 12 月 9 日,中芯国际已发行普通股每 10 股换 1 股正式生效。

2016 年,中芯国际净利润率达 10.86%,创下历史最高纪录。

20 周年 2017 年

2017 年 5 月 10 日,中芯国际宣布赵海军博士接替邱慈云博士担任首席执行官(CEO)。

2017 年 8 月 1 日,中芯北方 12 英寸厂(B2A)月产达两万片。

2017 年 7 月 23 日,中芯国际天津 T1B 主厂房正式破土动工。

2017 年 9 月 30 日,中芯北方 12 英寸厂(B2A)月产达 3 万片。

2017 年 10 月 16 日,中芯国际宣布任命赵海军博士、梁孟松博士为中芯国际联合首席执行官兼执行董事。

2017 年第 4 季度,中芯国际深圳 12 英寸生产线正式投产,月产能为 3000 片。

2017 年 12 月,中芯国际完成新股配售 3.3 亿美元,并且完成发行 6500 万美元永续可转换证券。

2017 年,中芯国际年度营收超过 30 亿美元。

20 周年 2018 年

2018 年 3 月 30 日,中芯北方 12 英寸厂(B2B)洁净室交付使用。

2018 年 4 月 28 日,中芯国际天津 T1B 主厂房举行封顶仪式。

2018 年 6 月,中芯国际完成向大唐配售约 0.84 亿美元新股以及 2 亿美元永续可转换证券。芯思想

2018 年 6 月 27 日,中芯国际天津 P2 Full Flow 设备搬入,科天(KLA-Tencor)的检测设备 RS200 成为首台搬入设备。

2018 年 7 月 12 日,由中芯国际联合上下游合作单位共同创建的北方集成电路创新中心正式揭牌,这是一个开放性的、实体性的集成电路产业协作平台,将为北京地区设计企业、科研院所提供试制平台,为装备和材料企业提供验证平台,有助于加快北京打造全国集成电路产业的技术创新中心。

2018 年 8 月,中芯国际完成向大基金配售约 0.78 亿美元新股以及 3 亿美元永续可转换证券。交易完成后,2018 年 9 月 30 日,大唐 17.01%,鑫芯 15.77%,紫光 6.93%,其余持股者持股比例不超过 5%。

2019 年 10 月 22 日,国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司正式成立,募集资金 2041.5 亿元。

2018 年第 4 季度,中芯国际第一代 14 纳米 FinFET 技术进入客户验证阶段,产品可靠度与良率进一步提升;同时,12 纳米的工艺开发也取得突破。

20 周年 2019 年

2019 年第 1 季度,上海中芯南方 FinFET 工厂顺利建造完成,开始进入产能布建;12 纳米工艺开发进入客户导入阶段;第二代 FinFET 研发在过去积累的基础上进度喜人。

2019 年 5 月 24 日,中芯国际发布公告称,公司董事会批准将其美国预托证券股份从纽约证券交易所退市。

2019 年 6 月 27 日,中芯国际发布公告称,出售 LFoundry 给无锡锡产微芯半导体有限公司,交易金额为 1.13 亿美元。

2019 年第 2 季度,第一代 14 纳米 FinFET 进入客户风险量产;第二代 FinFET N+1 技术平台开始进入客户导入阶段。

2019 年第 3 季度,第一代 14 纳米 FinFET 已成功量产;第二代 FinFET 工艺 N+1 研发稳步推进,客户导入进展顺利。

2019 年第 4 季度,中芯国际 14 纳米工艺贡献有意义的营收。

2019 年 11 月,中芯国际发行 2 亿美元 2022 年到期的零息可转换债券。

20 周年 2020 年

2020 年 2 月 20 日,中芯国际在全球资本市场顺利完成 5 年期美元公司债券的发行定价工作,募集资金 6 亿美元,票面利率 2.693%。本次发行是公司时隔 6 年再次重返国际债券市场,以 BBB- 的国际评级取得了 TMT 行业内 A- 评级公司的票息水平,体现出全球资本市场对于中芯国际近年来信用结构、财务战略与产业发展的高度认同,中芯国际在全球资本市场的融资能力和定价基准迈上了一个新的台阶。

2020 年 2 月 28 日,北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司研发楼项目正式开工建设。

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